Tek Çipin Içinde 128 Gb’lık Hacim By: sanane_61 Date: September 26, 2013, 05:34:05 PM NAND ölçekleme sınırının aşılmasında çığır açan bu gelişme, 3D hafıza alanında da yeni bir dönem başlatıyor.
Hem performansı hem de alan oranını bir üst düzeye çıkartan yeni 3D V-NAND, gömülü NAND depolama ve SSD de dahil olmak üzere birçok tüketici elektroniği ürününde ve kurumsal uygulamada kullanılacak.
Samsung’un yeni V-NAND ürünü, 3D Charge Trap Flash (CTF) teknolojisi ve 3D hücre sırasını bağlayan dikey arabağlantı işlem teknolojisine dayanan şirketin tescilli dikey hücre yapısını kullanarak, tek bir çipin içinde 128 gigabaytlık (GB) bir hacim sunuyor. Söz konusu teknolojilerin her ikisinin de uygulanması sayesinde Samsung’un 3D V-NAND ürünü, 20nm-sınıfındaki* düzlemsel NAND flaş diskin ölçeğinin iki katını sunabiliyor.
Güney Koreli tüketici elektroniği devi, geçtiğimiz Temmuz ayında global lansmanını gerçekleştirdiği gelişmiş bellek teknolojileri alanındaki iddialı ürünlerinden Samsung SSD 840 EVO’nun da dahil olduğu; kişisel bilgisayarlar için geliştirilen yüksek performanslı yeni SSD serisini Türk tüketicisi ile buluşturmuştu. Premium 840 PRO sınıfının rastgele okuma erişimi saniyede 100,000 girdi/çıktı (IOPS), rastgele yazma erişimi de 90.000 IOPS seviyesinde. Sistemin genelini kapsayan performans testinde, geleneksel bir sabit disk sürücüsü yerine 840 PRO kullanıldığında üç kat iyileşme sağlandığı görülmüştü. Samsung’un 840 SSD serisinin piyasaya sürülmesi, dizüstü kullanıcı ortamına da önemli iyileştirmeler getiriyor. Samsung, SSD’lerin performans düzeyini artırmaya ve kullanıcıların giderek daha çok faydalandıkları ve tüm dünyada giderek büyüyen yüksek performanslı SSD pazarına katkı sağlamaya devam ediyor.
